4月20日,，國際權(quán)威學術(shù)期刊《Advanced Materials》（IF=27.398）報道了我院的最新研究成果——Cross-Substitution Promoted Ultrawide Bandgap up to 4.5 eV in a 2D Semiconductor: Gallium Thiophosphate,，我院青年教師閆勇,、半導體所楊玨晗助理研究員,、北京大學杜娟博士研究生為該論文共同第一作者,，我院夏從新教授與中科院半導體所魏鐘鳴研究員為文章共同通訊作者,，河南師范大學為第一單位,。

近年來興起的寬禁帶二維半導體,，具有天然的短波長選擇性和獨特的物理性能,，是制作高性能紫外光電探測器的理想材料，表現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景并受到了國內(nèi)外眾多學者的關(guān)注,。團隊以GeS₂（E_g = 3.4 eV）為模型,，采用共替換的方法設(shè)計了新型超寬禁帶二維半導體GaPS₄材料，并成功的制備出其單晶材料,，研究表明此類材料具有更大的光學帶隙(單層：4.50 eV)和優(yōu)越的日盲紫外光探測靈敏度(1.98×10¹² Jones),。此外，得益于面內(nèi)結(jié)構(gòu)各向異性,，GaPS₄光探測器還具有偏振敏感特性,，在日盲紫外偏振探測領(lǐng)域有潛在的應(yīng)用前景。

（物理學院 閆勇  張浩興）

該文章是二維材料與光電器件團隊圍繞二維寬禁帶鍺硫?qū)倩衔锛爱愘|(zhì)結(jié)研究相關(guān)工作取得又一進展,。本研究得到了國家自然科學基金,、河南師范大學青年培育基金、河南省科技攻關(guān)等項目支持,。

文章鏈接：https:// doi.org/10.1002/adma.202008761

前期工作鏈接：https://doi.org/10.1002/advs.201903252

https://doi.org/10.1002/adom.201900622