4月20日，國(guó)際權(quán)威學(xué)術(shù)期刊《Advanced Materials》（IF=27.398）報(bào)道了我院的最新研究成果——Cross-Substitution Promoted Ultrawide Bandgap up to 4.5 eV in a 2D Semiconductor: Gallium Thiophosphate，我院青年教師閆勇、半導(dǎo)體所楊玨晗助理研究員、北京大學(xué)杜娟博士研究生為該論文共同第一作者，我院夏從新教授與中科院半導(dǎo)體所魏鐘鳴研究員為文章共同通訊作者，河南師范大學(xué)為第一單位。

近年來興起的寬禁帶二維半導(dǎo)體，具有天然的短波長(zhǎng)選擇性和獨(dú)特的物理性能，是制作高性能紫外光電探測(cè)器的理想材料，表現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景并受到了國(guó)內(nèi)外眾多學(xué)者的關(guān)注。團(tuán)隊(duì)以GeS₂（E_g = 3.4 eV）為模型，采用共替換的方法設(shè)計(jì)了新型超寬禁帶二維半導(dǎo)體GaPS₄材料，并成功的制備出其單晶材料，研究表明此類材料具有更大的光學(xué)帶隙(單層：4.50 eV)和優(yōu)越的日盲紫外光探測(cè)靈敏度(1.98×10¹² Jones)。此外，得益于面內(nèi)結(jié)構(gòu)各向異性，GaPS₄光探測(cè)器還具有偏振敏感特性，在日盲紫外偏振探測(cè)領(lǐng)域有潛在的應(yīng)用前景。

（物理學(xué)院 閆勇  張浩興）

該文章是二維材料與光電器件團(tuán)隊(duì)圍繞二維寬禁帶鍺硫?qū)倩衔锛爱愘|(zhì)結(jié)研究相關(guān)工作取得又一進(jìn)展。本研究得到了國(guó)家自然科學(xué)基金、河南師范大學(xué)青年培育基金、河南省科技攻關(guān)等項(xiàng)目支持。

文章鏈接：https:// doi.org/10.1002/adma.202008761

前期工作鏈接：https://doi.org/10.1002/advs.201903252

https://doi.org/10.1002/adom.201900622