12月9日,，應(yīng)材料科學(xué)與工程學(xué)院邀請,，國家納米科學(xué)中心王振興研究員、孫向南研究員以及中南大學(xué)孫健教授做客我?！安牧吓?/span>·New Materials”名家講壇,。學(xué)院相關(guān)專業(yè)教師、研究生和本科生參加了此次講壇,。講壇由學(xué)院副教授翟海法主持,。

王振興研究員以成像技術(shù)為主題，首先分析了傳統(tǒng)成像技術(shù)目前存在的問題,，介紹了課題組在“感算一體架構(gòu)”領(lǐng)域取得的進展,，主要包括面向大規(guī)模器件應(yīng)用的晶圓級二維半導(dǎo)體材料制備和“感算一體化”成像器件構(gòu)筑。報告不僅深入剖析了二維半導(dǎo)體材料的多種優(yōu)異性能,，還全面展示了其在智能成像前沿領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景,。

孫向南研究員針對有機自旋電子學(xué)中室溫自旋輸運效率、自旋壽命,、輸運距離遠低于理論預(yù)期值等問題開展系統(tǒng)研究,，構(gòu)建了高度可重復(fù)的有機自旋閥器件，提出了“元素趨同”的材料設(shè)計新理念,，開展了基于有機單晶體系的自旋電子學(xué)研究,，實現(xiàn)了最長的室溫自旋輸運距離,。

孫健教授圍繞傳統(tǒng)硅基CMOS晶體管短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，介紹了研究團隊近期在二維半導(dǎo)體表界面物態(tài)調(diào)控方面的研究進展,，提出面向新型二維電子器件表面缺陷工程物態(tài)調(diào)控和鐵電界面調(diào)控新策略,，并且基于表界面調(diào)控實現(xiàn)原型存儲器件的有效構(gòu)筑。

報告結(jié)束后,，三位專家就現(xiàn)場師生提出的問題進行了詳細(xì)的解答,，在場師生受益匪淺。

(材料科學(xué)與工程學(xué)院  翟海法)