應我院邀請,，復旦大學丁士進教授于12月15日上午10：30在物理北樓C-208舉行題為《原子層沉積氧化物半導體薄膜晶體管及其在2T0C DRAM中的應用》的專題學術講座,。學院負責人、師生代表50余人參加講座,。講座由副院長王芳主持,。

丁士進教授首先介紹了原子層沉積氧化銦、摻雜氧化銦（In-Sn-O、In-Zn-Al-O）的FET性能研究現(xiàn)狀,；其次展示了團隊在器件的工藝溫度穩(wěn)定性及其改善技術方面的研究成果,；最后展示了基于摻雜氧化銦（InZnAlO）溝道的FET在2T0C DRAM中的應用成果，為實現(xiàn)納秒級寫入速度,、超長數(shù)據(jù)保持時間,、超強編程/擦除耐受能力和多態(tài)存儲特性提供了新的思路。

講座結束后,，青年教師和研究生就講座內容及該研究方向熱點問題向丁士進教授進行了提問,。丁士進教授對所提問題均做了詳細解答，并對該領域的研究熱點進行了展望,。

（文 徐世周）

丁士進,，男，復旦大學特聘教授（二級教授）,、博士生導師,，任職于復旦大學微電子學院，兼任嘉善復旦研究院副院長,。2001 年10月至2004年12月曾先后在德國基爾（Kiel）大學做洪堡學者,、新加坡國立大學任研究員（Research Fellow）。2005年3月起,，正式加入復旦大學,，被聘為副教授；2008年4月晉升為教授,，2016年入選二級教授,。曾獲上海市浦江人才計劃、教育部新世紀優(yōu)秀人才支持計劃,、上海市技術發(fā)明二等獎,。作為負責人，主持了科技部“863”項目（1項）,、國家自然科學基金項目（6項）,、02科技重大專項課題（3項）等縱向科研項目16項。作為發(fā)起人,，擔任了四屆國際原子層沉積應用會議主席（2012-2018）,、10屆中國原子層沉積會議組委會主席（2011-2023）；擔任美國真空協(xié)會（AVS）第 19-22 屆國際原子層沉積會議程序委員會委員,。擔任中國集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新聯(lián)盟專家咨詢委員會委員（2023-2027）和華為技術有限公司技術顧問,。擔任國家自然科學獎、科技進步獎,、國家自然科學基金委重點研發(fā)計劃,、重大項目,、面上項目、優(yōu)青,、海優(yōu)評審專家,。至今已發(fā)表SCI 論文200余篇，包括在電子器件領域頂級期刊 IEEE Electron Device Letters,、IEEE Transactions on Electron Devices上發(fā)表論文30余篇,。獲美國、歐盟,、中國授權發(fā)明專利40余項,。