應(yīng)我院邀請(qǐng)，復(fù)旦大學(xué)丁士進(jìn)教授于12月15日上午10：30在物理北樓C-208舉行題為《原子層沉積氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管及其在2T0C DRAM中的應(yīng)用》的專題學(xué)術(shù)講座。學(xué)院負(fù)責(zé)人、師生代表50余人參加講座。講座由副院長(zhǎng)王芳主持。

丁士進(jìn)教授首先介紹了原子層沉積氧化銦、摻雜氧化銦（In-Sn-O、In-Zn-Al-O）的FET性能研究現(xiàn)狀；其次展示了團(tuán)隊(duì)在器件的工藝溫度穩(wěn)定性及其改善技術(shù)方面的研究成果；最后展示了基于摻雜氧化銦（InZnAlO）溝道的FET在2T0C DRAM中的應(yīng)用成果，為實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)寫入速度、超長(zhǎng)數(shù)據(jù)保持時(shí)間、超強(qiáng)編程/擦除耐受能力和多態(tài)存儲(chǔ)特性提供了新的思路。

講座結(jié)束后，青年教師和研究生就講座內(nèi)容及該研究方向熱點(diǎn)問題向丁士進(jìn)教授進(jìn)行了提問。丁士進(jìn)教授對(duì)所提問題均做了詳細(xì)解答，并對(duì)該領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)進(jìn)行了展望。

（文 徐世周）

丁士進(jìn)，男，復(fù)旦大學(xué)特聘教授（二級(jí)教授）、博士生導(dǎo)師，任職于復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院，兼任嘉善復(fù)旦研究院副院長(zhǎng)。2001 年10月至2004年12月曾先后在德國(guó)基爾（Kiel）大學(xué)做洪堡學(xué)者、新加坡國(guó)立大學(xué)任研究員（Research Fellow）。2005年3月起，正式加入復(fù)旦大學(xué)，被聘為副教授；2008年4月晉升為教授，2016年入選二級(jí)教授。曾獲上海市浦江人才計(jì)劃、教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃、上海市技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。作為負(fù)責(zé)人，主持了科技部“863”項(xiàng)目（1項(xiàng)）、國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目（6項(xiàng)）、02科技重大專項(xiàng)課題（3項(xiàng)）等縱向科研項(xiàng)目16項(xiàng)。作為發(fā)起人，擔(dān)任了四屆國(guó)際原子層沉積應(yīng)用會(huì)議主席（2012-2018）、10屆中國(guó)原子層沉積會(huì)議組委會(huì)主席（2011-2023）；擔(dān)任美國(guó)真空協(xié)會(huì)（AVS）第 19-22 屆國(guó)際原子層沉積會(huì)議程序委員會(huì)委員。擔(dān)任中國(guó)集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟專家咨詢委員會(huì)委員（2023-2027）和華為技術(shù)有限公司技術(shù)顧問。擔(dān)任國(guó)家自然科學(xué)獎(jiǎng)、科技進(jìn)步獎(jiǎng)、國(guó)家自然科學(xué)基金委重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、重大項(xiàng)目、面上項(xiàng)目、優(yōu)青、海優(yōu)評(píng)審專家。至今已發(fā)表SCI 論文200余篇，包括在電子器件領(lǐng)域頂級(jí)期刊 IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices上發(fā)表論文30余篇。獲美國(guó)、歐盟、中國(guó)授權(quán)發(fā)明專利40余項(xiàng)。