應(yīng)我院邀請,，復(fù)旦大學(xué)丁士進教授于12月15日上午10：30在物理北樓C-208舉行題為《原子層沉積氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管及其在2T0C DRAM中的應(yīng)用》的專題學(xué)術(shù)講座,。學(xué)院負(fù)責(zé)人,、師生代表50余人參加講座。講座由副院長王芳主持,。

丁士進教授首先介紹了原子層沉積氧化銦,、摻雜氧化銦（In-Sn-O、In-Zn-Al-O）的FET性能研究現(xiàn)狀,；其次展示了團隊在器件的工藝溫度穩(wěn)定性及其改善技術(shù)方面的研究成果,；最后展示了基于摻雜氧化銦（InZnAlO）溝道的FET在2T0C DRAM中的應(yīng)用成果，為實現(xiàn)納秒級寫入速度,、超長數(shù)據(jù)保持時間,、超強編程/擦除耐受能力和多態(tài)存儲特性提供了新的思路。

講座結(jié)束后,，青年教師和研究生就講座內(nèi)容及該研究方向熱點問題向丁士進教授進行了提問,。丁士進教授對所提問題均做了詳細解答，并對該領(lǐng)域的研究熱點進行了展望,。

（文 徐世周）

丁士進,，男，復(fù)旦大學(xué)特聘教授（二級教授）,、博士生導(dǎo)師,，任職于復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院，兼任嘉善復(fù)旦研究院副院長,。2001 年10月至2004年12月曾先后在德國基爾（Kiel）大學(xué)做洪堡學(xué)者,、新加坡國立大學(xué)任研究員（Research Fellow）。2005年3月起,，正式加入復(fù)旦大學(xué),，被聘為副教授；2008年4月晉升為教授,，2016年入選二級教授,。曾獲上海市浦江人才計劃、教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計劃,、上海市技術(shù)發(fā)明二等獎,。作為負(fù)責(zé)人，主持了科技部“863”項目（1項）,、國家自然科學(xué)基金項目（6項）,、02科技重大專項課題（3項）等縱向科研項目16項。作為發(fā)起人,，擔(dān)任了四屆國際原子層沉積應(yīng)用會議主席（2012-2018）,、10屆中國原子層沉積會議組委會主席（2011-2023）；擔(dān)任美國真空協(xié)會（AVS）第 19-22 屆國際原子層沉積會議程序委員會委員,。擔(dān)任中國集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟專家咨詢委員會委員（2023-2027）和華為技術(shù)有限公司技術(shù)顧問,。擔(dān)任國家自然科學(xué)獎、科技進步獎,、國家自然科學(xué)基金委重點研發(fā)計劃,、重大項目、面上項目,、優(yōu)青,、海優(yōu)評審專家,。至今已發(fā)表SCI 論文200余篇，包括在電子器件領(lǐng)域頂級期刊 IEEE Electron Device Letters,、IEEE Transactions on Electron Devices上發(fā)表論文30余篇,。獲美國、歐盟,、中國授權(quán)發(fā)明專利40余項,。