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學(xué)術(shù)預(yù)告

原子層沉積氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管及其在2T0C DRAM中的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2024-12-12瀏覽次數(shù):55

丁士進(jìn),,男,,復(fù)旦大學(xué)特聘教授(二級(jí)教授)、博士生導(dǎo)師,,任職于復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院,,兼任嘉善復(fù)旦研究院副院長。2001 年10月至2004年12月曾先后在德國基爾(Kiel)大學(xué)做洪堡學(xué)者,、新加坡國立大學(xué)任研究員(Research Fellow),。2005年3月起,,正式加入復(fù)旦大學(xué),被聘為副教授,;2008年4月晉升為教授,,2016年入選二級(jí)教授。曾獲上海市浦江人才計(jì)劃,、教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃,、上海市技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。作為負(fù)責(zé)人,,主持了科技部“863”項(xiàng)目(1項(xiàng)),、國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(6項(xiàng))、02科技重大專項(xiàng)課題(3項(xiàng))等縱向科研項(xiàng)目16項(xiàng),。作為發(fā)起人,,擔(dān)任了四屆國際原子層沉積應(yīng)用會(huì)議主席(2012-2018)、10屆中國原子層沉積會(huì)議組委會(huì)主席(2011-2023),;擔(dān)任美國真空協(xié)會(huì)(AVS)第 19-22 屆國際原子層沉積會(huì)議程序委員會(huì)委員,。擔(dān)任中國集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟專家咨詢委員會(huì)委員(2023-2027)和華為技術(shù)有限公司技術(shù)顧問。擔(dān)任國家自然科學(xué)獎(jiǎng),、科技進(jìn)步獎(jiǎng),、國家自然科學(xué)基金委重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、重大項(xiàng)目,、面上項(xiàng)目,、優(yōu)青、海優(yōu)評(píng)審專家,。至今已發(fā)表SCI 論文200余篇,,包括在電子器件領(lǐng)域頂級(jí)期刊 IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices上發(fā)表論文30余篇,。獲美國,、歐盟、中國授權(quán)發(fā)明專利40余項(xiàng),。