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原子層沉積氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管及其在2T0C DRAM中的應(yīng)用

發(fā)布時間:2024-12-12瀏覽次數(shù):10

丁士進,,男,,復(fù)旦大學(xué)特聘教授(二級教授)、博士生導(dǎo)師,,任職于復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院,兼任嘉善復(fù)旦研究院副院長,。2001 年10月至2004年12月曾先后在德國基爾(Kiel)大學(xué)做洪堡學(xué)者,、新加坡國立大學(xué)任研究員(Research Fellow)。2005年3月起,,正式加入復(fù)旦大學(xué),,被聘為副教授;2008年4月晉升為教授,,2016年入選二級教授,。曾獲上海市浦江人才計劃、教育部新世紀優(yōu)秀人才支持計劃,、上海市技術(shù)發(fā)明二等獎,。作為負責(zé)人,,主持了科技部“863”項目(1項)、國家自然科學(xué)基金項目(6項),、02科技重大專項課題(3項)等縱向科研項目16項,。作為發(fā)起人,擔(dān)任了四屆國際原子層沉積應(yīng)用會議主席(2012-2018),、10屆中國原子層沉積會議組委會主席(2011-2023),;擔(dān)任美國真空協(xié)會(AVS)第 19-22 屆國際原子層沉積會議程序委員會委員。擔(dān)任中國集成電路材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟專家咨詢委員會委員(2023-2027)和華為技術(shù)有限公司技術(shù)顧問,。擔(dān)任國家自然科學(xué)獎,、科技進步獎、國家自然科學(xué)基金委重點研發(fā)計劃,、重大項目,、面上項目、優(yōu)青,、海優(yōu)評審專家,。至今已發(fā)表SCI 論文200余篇,包括在電子器件領(lǐng)域頂級期刊 IEEE Electron Device Letters,、IEEE Transactions on Electron Devices上發(fā)表論文30余篇,。獲美國、歐盟,、中國授權(quán)發(fā)明專利40余項,。