12月5日下午16：30，我院在物理北樓C-210召開氮化鎵光電子集成芯片論證會,。特邀南京郵電大學(xué)王永進(jìn)教授,、中科院半導(dǎo)體所魏同波研究員、鄭州大學(xué)張旭副教授參會,。學(xué)院電子及微電子專業(yè)部分學(xué)術(shù)骨干參會,。座談會由樸金龍博士主持。

王永進(jìn)教授首先介紹了南京郵電大學(xué)氮化鎵光電子集成芯片發(fā)展現(xiàn)狀,，講解了當(dāng)前氮化鎵方向面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn),，并分析了我院發(fā)展氮化鎵光電子集成芯片的前景；魏同波研究員分析了當(dāng)前氮化鎵的產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀和相關(guān)人才供需情況,，為我們凝練研究特色提供了寶貴建議,；張旭副教授對氮化鎵光電子集成芯片省內(nèi)就業(yè)形式進(jìn)行了詳細(xì)分析，讓我們對就業(yè)前景有了更深入了解,。

該論證會對我院相關(guān)團(tuán)隊開展氮化鎵光電子集成芯片理論研究有積極意義,，也為微電子專業(yè)的特色化發(fā)展做了鋪墊。

（文 徐世周）